再获国家级奖项！350VIP浦京集团在第八届全国大学生集成电路创新创业大赛中再创佳绩！

本站讯（通讯员：尹明）8月21日，第八届全国大学生集成电路创新创业大赛全国总决赛落下帷幕，350VIP浦京集团学生代表队共获得全国一等奖1项，全国二等奖2项，全国三等奖1项，成绩再创新高！

全国大学生集成电路创新创业大赛作为国内集成电路设计领域水平最高的学科竞赛之一，是国内集成电路产学领域最具规模和影响力的赛事，也是入选中国高等教育学会全国普通高校学科竞赛排行榜的集成电路专业赛事。赛事面向全国所有集成电路专业院校，为本、硕、博等多层次人才提供集成电路最具价值的前沿技术领域赛题，通过由行业领先企业为杯赛命题和冠名等搭建“产学研用”  和人才培养的合作平台。本届大赛包括集成电路设计、芯片应用、半导体工艺、半导体测试、EDA以及集成电路创新成果等13个技术方向，共设22个挑战杯赛，覆盖集成电路全产业链主要方向，全国共有430余所高校的5600多支本硕博团队超16000人参赛。整个赛事分为初赛、分赛区决赛和全国总决赛3个阶段，350VIP浦京集团共22支参赛队报名参赛，其中12支队伍进入分赛区决赛，最终有4支队伍获国家级奖项。其中学院互联感知集成电路与系统实验室团队王科平教授指导的研究生队伍获得一等奖，天津市物联网国际联合研究中心主任邹强副教授指导的研究生队伍获二等奖，张宁老师指导的2支本科生队伍分获二等奖和三等奖。

据悉，350VIP浦京集团持续落实“三全育人”“五育并举”的育人理念，进一步推进具有学科特色的学生科创培养体系，为每一位热爱科创、潜心科研的同学打造适合参加的竞赛、项目平台，引导学生踊跃投身创新驱动发展战略，致力于为祖国集成电路产业发展贡献青春力量，践行使命担当。

获奖团队展示：

基于Class-G的高效率SCPA

团队成员：马林浩、张辉、梁栋

指导教师：王科平

IEEE总决赛 全国一等奖

数字发射机（DTX）凭借其高效率、高输出功率及高数据速率的特性，成为5G与6G通信研究新宠。开关电容式功率放大器（SCPA）可兼容多种功率回退结构，易于实现卓越的调制性能，因此SCPA成为数字发射机领域的研究重点。团队使用TSMC-65nm工艺，设计了高效率、高功率回退性能的SCPA。基于项目功能与需求，团队成员根据比赛官方要求的SCPA架构，设计了具有增强耦合效果的并联型变压器，实现功放级到天线段的高效率输出；设计了Doherty与Class-G结合的12-bit幅度编码，有助于实现高功率回退性能以及高线性度幅度调制。设计完成后的SCPA系统适用于极坐标发射机，可实现基带信号的高线性度调制，然后高效率发射。

基于AXI协议的交叉矩阵模块设计

团队成员：殷允江、王帅、罗昆

指导教师：邹强

叩持杯 全国二等奖

团队使用TSMC-65nm工艺，实现了多个主从设备之间的数据传输，完成将AXI总线上的三路读写请求进行仲裁及路由功能，并支持outstanding transaction、incrementing burst、wrapping burst、out of order、interleaving及4K边界处理，同时实现了AXI协议到AHB协议的接口转换以及APB寄存器配置；在设计及仿真自测流程完毕的基础上，后端flow完成基于Innovus的APR环境搭建，完成设计初始化并检查网表、时序等，完成FloorPlan阶段对芯片面积规划以及IO port的摆放，完成时钟树单元及NDR绕线规则的指定、配置CTS相关参数及设置，配置Route相关option及参数并完成最终绕线，完成postRoute阶段的优化工作，完成PR之后的STA相关工作，经过多次优化，满足了大赛要求的signoff标准。

28nm MOSFET器件工艺制造全流程

团队成员：陈思蓉、吴思雨

指导教师：张宁

紫光教育赛道 全国二等奖

题目主要涵盖28nm MOSFET器件工艺制造全流程的三个阶段，分别对应初赛、分赛区决赛和全国总决赛的内容：初赛为28nm MOSFET器件工艺仿真设计；分赛区决赛为28nm MOSFET器件建模与完成PDK阶段；全国总决赛为28nm MOSFET器件制造与测试验证阶段。团队运用了HALO注入，应力工程，热驱动等多项工艺，设计的28nm MOSFET性能良好，将亚阈值摆幅和漏致势垒降低效应值分别控制在63.879mV/dec和16.118mV，在现场实操过程中，发挥出色，顺利完成比赛所给的题目并测量相应数据。

28nm MOSFET器件工艺制造全流程

团队成员：金旸博、谢岱陶、侯世雄

指导教师：张宁

紫光教育赛道 全国三等奖

本题目主要涵盖28nm MOSFET器件工艺制造全流程的三个阶段，分别对应初赛、分赛区决赛和全国总决赛的内容：初赛为28nm MOSFET器件工艺仿真设计；分赛区决赛为28nm MOSFET器件建模与完成PDK阶段；全国总决赛为28nm MOSFET器件制造与测试验证阶段。团队所设计出的28nm NMOS不存在衬底穿透现象，局部结构均符合NMOS典型器件结构且满足性能约束。漏电性能方面，器件亚阈值区摆幅为78 mv/dec，漏致势垒降低效应值为27mv，器件的响应速度和稳定性优秀。实操过程中，团队成员相互配合，尽其所能，展现出了350VIP浦京集团学子的良好风采。